1. Zhifu Liu，Yongxiang Li，LOW TEMPERATURE CO-FIRED CERAMIC MATERIAL AND PREPARATION METHOD THEREFOR，US 9718696 B2.

2. 刘志甫，李永祥，低温同時焼成セラミック材料及びその製造方法， JP 2016-038076.

3. 李永祥，卢志远，王依琳，吴文俊，シート状ニオブ酸チタン酸リチウム(Li-Nb-Ti-O)のテンプレート結晶粒、それを含む組織化ニオブ酸チタン酸リチウム(Li-Nb-Ti-O)のマイクロ波媒質セラミックス、及びその製造方法，JP 2013-538053.

4. 马名生，林琳，刘志甫，李永祥，一种低温共烧陶瓷基板空腔结构的制备方法，中国发明专利号：ZL 201710847497.4。

5. 刘志甫，陈冠羽，李永祥，马名生，一种可阳极键合 LTCC 材料及其制备方法和应用，中国发明专利号：ZL 201710128009.4。

6. 马名生，刘志甫，李永祥，一种超低温烧结的微晶玻璃系微波介质材料及其制备方法，中国发明专利号：ZL 201611245181.X。

7. 马名生，刘志甫，李永祥，一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法，中国发明专利号：ZL 201610065672.X。

8. 顾燕，刘志甫，李永祥，一种高耐压陶瓷电介质材料及其制备方法，中国发明专利号：ZL 201610040913.5。

9. 李永祥，张志强，刘志甫，杨群保，一种织构化无铅压电陶瓷多层驱动器及其制备方法，中国发明专利号：ZL 201510816013.0。

10. 顾燕，刘志甫，李永祥，庄彤，冯毅龙，杨俊峰，可键合多层陶瓷电容器及其制备方法，中国发明专利号：ZL 201510291404.5。

11. 李永祥，苗纪远，刘志甫，一种高介电常数的多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法，中国发明专利号：ZL 201510174215.X。

12. 刘志甫，李永祥，一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法，中国发明专利号：ZL 201510109370.3。

13. 李永祥，马名生，王依琳，陆毅青，吴文俊，PTC陶瓷材料及提高PTC陶瓷材料居里点以下电阻温度稳定性的方法，中国发明专利号：ZL 201410557982.4。

14. 刘志甫，马名生，李永祥，一种低温共烧陶瓷生带材料及其制备方法和应用，中国发明专利号：ZL 201310422945.8。

15. 李永祥，马名生，刘志甫，王依琳，吴文俊，高热导率的低温共烧陶瓷材料及其制备方法，中国发明专利号：ZL 201210000721.3。

16. 李永祥、马名生、刘志甫，一种低温共烧陶瓷LED基板结构, 中国发明专利号：ZL 201120257203.0。

17. 李永祥，卢志远，王依琳，吴文骏，片状锂－铌－钛（Li-Nb-Ti-O）模板晶粒及其制备方法，中国发明专利号：ZL 201010537689.3。

18. 李永祥，卢志远，王依琳，吴文骏，织构化锂铌钛（Li-Nb-Ti-O）微波介质陶瓷及其制备方法，中国发明专利号：ZL 201010537668.1。

19. 李永祥，伍萌佳，王东，李亚利，惠春，织构化铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备方法，中国发明专利号：ZL 201010192665.9。

20. 李永祥，王有亮，陆毅青，赵宇，王东，一种铌酸钾钠-铌酸钾锂压电陶瓷及其制备方法，中国发明专利号：ZL 201010109269.5。

21. 李永祥，龙艳平，王依琳，吴文骏，降低锂-铌-钛系微波介质陶瓷烧结温度的方法，中国发明专利号：ZL 200910049374.1。

22. 李永祥，李正法，一种次晶有序排列的铌酸盐无铅压电陶瓷及其制备方法，中国发明专利号：ZL 200910046970.4。

23. 王依琳，吴文骏，赵梅瑜，李永祥，蔡聪麟，沢崎章，提高Li-Nb-Ti基微波介质陶瓷绝缘电阻率的方法，中国发明专利号：ZL 200810205225.5。

24. 李永祥，伍萌佳，一种片状钛酸铋钠模板晶粒制备方法，中国发明专利号：ZL 200810034763.2。

25. 李永祥，王卓，朱南飞，王东，一种导电线路的制作方法，中国发明专利号：ZL 200810033433.1。

26. 李永祥，伍萌佳，杨群保，一种钛酸铋钠－钛酸钡无铅压电陶瓷及其制备方法，中国发明专利号：ZL 200610119423.0。

27. 李永祥，葛万银，一种无机-有机复合溶液型电致变色材料及器件和制备方法，中国发明专利号：ZL 200510112409.3。

28. 王依琳，吴文骏，赵梅瑜，李蔚，提高与铜共烧的含钛微波介质陶瓷绝缘电阻率的方法，中国发明专利号：ZL 200510026991.1。

29. 李永祥，王东，徐志华，镓酸钇基红、绿、兰三色荧光粉，中国发明专利号：ZL 200410025792.4。

30. 王东，李永祥，陆毅青，王天宝，殷庆瑞，一种掺杂改性钛酸铋钠钾压电陶瓷及其制备方法，中国发明专利号：ZL 200410017308.3。

31. 王东，李永祥，陆毅青，王天宝，殷庆瑞，小功率超声换能器用掺杂改性钛酸铋钠钡压电陶瓷及其制备方法，中国发明专利号：ZL 200410017307.9。

32. 李永祥，曾江涛，荆学珍，无模板丝网印刷制备织构化铋层状压电陶瓷的工艺，中国发明专利号：ZL 200410017306.4。

33. 李永祥，荆学珍, 曾江涛，殷庆瑞，丝网印刷制备织构化钛酸铋钠钾压电陶瓷的工艺，中国发明专利号：ZL 200410017305.X。

34. 杨群保，李永祥，殷庆瑞，王佩玲，形貌可控的氧化铋粉体的制备新方法，中国发明专利号：ZL 03151466.9。

35. 杨群保，李永祥，殷庆瑞，王佩玲，一种新型钛酸钾的组成和制备方法，中国发明专利号：ZL 03129114.7。

36. 刘志甫，魏安庆，张发强，陈冠羽，刘峰，马名生，顾燕，一种可用于气密性封装的低温共烧低电压可阳极键合微晶玻璃材料及其制备方法和应用，中国发明专利申请号：201910740118.0。

37. 马名生，刘志甫，李永祥，一种无线位移传感器，中国发明专利申请号：201910672192.3。

38. 张发强，刘志甫，李永祥，一种窄禁带铋层状共生结构铁电材料及其制备方法，中国发明专利申请号：201811542101.6。

39. 张发强，刘志甫，李永祥，一种BaTiO3基铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，中国发明专利申请号：201811542098.8。

40. 刘志甫，彭笑笑，李永祥，一种高温稳定介质陶瓷材料及其制备方法，中国发明专利申请号：201811300433.3。

41. 李永祥，陈冠羽，刘志甫，马名生，魏安庆，一种低温、低电压阳极键合基板材料及其制备方法，中国发明专利申请号：201811167938.7。

42. 马名生，梁永源，刘志甫，李永祥，一种无线微流控传感器，中国发明专利申请号：201811068134.1。

43. 马名生，林琳，刘志甫，李永祥，基于LTCC的无源无线压力、温度集成传感器及其制备方法，中国发明专利申请号：201810483326.2。

44. 马名生，刘志甫，李永祥，一种低温共烧陶瓷介质材料及其制备方法，中国发明专利申请号：201810204704.9。

45. 刘志甫，邵辉，常健，李永祥，一种高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，中国发明专利申请号：201710546400.6。

46. 刘志甫，常健，李永祥，陆毅青，块体陶瓷材料样品库高通量制备方法，中国发明专利申请号：201710237310.9。

47. 王依琳，马名生，陆毅青，李永祥，一种适用于曲面加热的新型PTC陶瓷加热元件，中国发明专利申请号：201710218063.8。

48. 刘志甫，宋怡萱，李永祥，基于聚碳酸亚丙酯粘结剂的陶瓷流延浆料及其制备方法，中国发明专利申请号：201610999882.6。

49. 李永祥，杨洁，杨群保，一种高压电性能的锂掺杂铌酸钾钠单晶及其制备方法，中国发明专利申请号：ZL 201510641309.3。

50. 马名生，刘志甫，山巍，李永祥，基于低温共烧陶瓷基板的无源无线气体传感器及其制备方法，中国发明专利申请号：201510397868.4。

51. 高军，李永祥，一种BaTiO3基PTC陶瓷及其制备方法，中国发明专利申请号：201510070347.8。

52. 李永祥，杨洁，杨群保，一种铌酸钾钠基单晶及其制备方法，中国发明专利申请号：201410613877.8。

53. 李永祥，屈钰琦，刘志甫，孙大志，一种二氧化钒纳米棒状薄膜的制备方法，中国发明专利申请号：201310549182.3。

54. 刘志甫，李永祥，陶瓷流延浆料及其制备方法，中国发明专利申请号：201110319794.4。

55. 李永祥，王卓，王东，制备组合材料芯片的方法及所使用的电磁喷射系统，中国发明专利申请号：200810042322.7。